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半導(dǎo)體參數(shù)分析儀1200V/100A

 
品牌: 普賽斯儀表
尺寸: 580mm長(zhǎng)*620mm寬*680mm高
工控機(jī): 內(nèi)置品牌專業(yè)工控機(jī)
輸入電源: 220V 50/60Hz
單價(jià): 面議
起訂:
供貨總量:
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 3 天內(nèi)發(fā)貨
所在地: 湖北 武漢市
有效期至: 長(zhǎng)期有效
最后更新: 2024-03-28 10:02
瀏覽次數(shù): 164
 
公司基本資料信息
詳細(xì)說(shuō)明

概述:

SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā),、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),,具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活,、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試,,旨在幫助加快前沿材料研究,、半導(dǎo)體芯片器件設(shè)計(jì)以及先進(jìn)工藝的開(kāi)發(fā),具有桌越的測(cè)量效率與可靠性,。

基于模塊化的體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),,SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以幫助用戶根據(jù)測(cè)試需要,靈活選配測(cè)量單元進(jìn)行升級(jí),。產(chǎn)品支持Z高1200V電壓,、100A大電流、1pA小電流分辨率的測(cè)量,,同時(shí)檢測(cè)10kHz至1MHz范圍內(nèi)的多頻AC電容測(cè)量,。SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀搭載普賽斯自主開(kāi)發(fā)的專用半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試軟件,支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作,能夠從測(cè)量設(shè)置、執(zhí)行,、結(jié)果分析到數(shù)據(jù)管理的整個(gè)過(guò)程,,實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,,滿足高低溫測(cè)試需求,。詳詢一八一四零六六三四七六;

產(chǎn)品特點(diǎn):

30μV-1200V,1pA-100A寬量程測(cè)試能力,;

測(cè)量精度高,全量程下可達(dá)0.03%精度,;

內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試程序,直接調(diào)用測(cè)試簡(jiǎn)便,;

自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取,,數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù),;

在CV和IV測(cè)量之間快速切換而無(wú)需重新布線,;

提供靈活的夾具定制方案,兼容性強(qiáng),;

免費(fèi)提供上位機(jī)軟件及SCPI指令集,;

典型應(yīng)用:

納米、柔性等材料特性分析,;

二極管,;

MOSFET、BJT,、晶體管,、IGBT,;

第三代半導(dǎo)體材料/器件;

有機(jī)OFET器件,;

LED,、OLED、光電器件,;

半導(dǎo)體電阻式等傳感器,;

EEL、VCSEL,、PD、APD等激光二極管,;

電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測(cè)量,;

太陽(yáng)能電池;

非易失性存儲(chǔ)設(shè)備,;

失效分析,;


模塊化構(gòu)成

低壓直流I-V源測(cè)量單元

-精度0.1%或0.03%可選
-直流工作模式
-Z大電壓300V,Z大直流1A或3A可選
-最小電流分辨率10pA
-四象限工作區(qū)間
-支持二線,,四線制測(cè)試模式
-支持GUARD保護(hù)


低壓脈沖I-V源測(cè)量單元

-精度0.1%或0.03%可選
-直流,、脈沖工作模式
-Z大電壓300V,Z大直流1A或3A可選,Z大脈沖電流10A或30A可選
-最小電流分辨率1pA
-最小脈寬200μs
-四象限工作區(qū)間.
-支持二線,,四線制測(cè)試模式
-支持GUARD保護(hù)

高壓I-V源測(cè)量單元

-精度0.1%            
-Z大電壓1200V,Z大直流100mA

-最小電流分辨率100pA
-一,、三象限工作區(qū)間
-支持二線、四線制測(cè)試模式
-支持GUARD保護(hù)

高流I-V源測(cè)量單元

-精度0.1%
-直流,、脈沖工作模式.
-Z大電壓100V,,Z大直流30A ,Z大脈沖電流100A
-最小電流分辨率10pA

-最小脈寬80μs
-四象限工作區(qū)間
支持二線、四線制測(cè)試模式
-支持GUARD保護(hù)

電壓電容C-V測(cè)量單元

-基本精度0.5%
-測(cè)試頻率10hZ~1MHz,,可選配至10MHz
-支持高壓DC偏置,,Z大偏置電壓1200V
-多功能AC性能測(cè)試,C-V,、 C-f,、 C-t


硬件指標(biāo)-IV測(cè)試

半導(dǎo)體材料以及器件的參數(shù)表征,往往包括電特性參數(shù)測(cè)試,。絕大多數(shù)半導(dǎo)體材料以及器件的參數(shù)測(cè)試,,都包括電流-電壓(I-V)測(cè)量。源測(cè)量單元(SMU)             ,,具有四象限,,多量程,支持四線測(cè)量等功能,,可用于輸出與檢測(cè)高精度,、微弱電信號(hào),,是半導(dǎo)體|-V特性測(cè)試的重要工具之-。SPA-6100配置有多種不同規(guī)格的SMU,如低壓直流SMU,低壓脈沖SMU,大電流SMU,。用戶可根據(jù)測(cè)試需求靈活配置不同規(guī)格,以及不同數(shù)量的搭配,,實(shí)現(xiàn)測(cè)試測(cè)試效率與開(kāi)支的平衡。


靈活可定制化的夾具方案

針對(duì)市面上不同封裝類型的半導(dǎo)體器件產(chǎn)品,普賽斯提供整套夾具解決方案,。夾具具有低阻抗,、安裝簡(jiǎn)單、種類豐富等特點(diǎn),,可用于二極管,、三極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管,、IGBT,、SiC  MOS、GaN等單管,,模組類產(chǎn)品的測(cè)試;也可與探針臺(tái)連接,,實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測(cè)試。



 


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P系列大電流脈沖源表 高電流脈沖電源PL型 對(duì)標(biāo)2611b國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表 “電流-導(dǎo)通電壓”掃描測(cè)試HCPL100高電流脈沖電源 數(shù)字源表iv掃描miniled電性能 3000V高電壓源測(cè)單元 微弱電流數(shù)字源表10pA 大功率半導(dǎo)體激光參數(shù)測(cè)試設(shè)備